Dun, Shao-Bo: шукати на сайті Z-Library

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (10)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

1

Directly extracting both threshold voltage and series resistance from the conductance—voltage curve of an AlGaN/GaN Schottky diode

Lü, Yuan-Jie, Feng, Zhi-Hong, Gu, Guo-Dong, Dun, Shao-Bo, Yin, Jia-Yun, Han, Ting-Ting, Sheng, Bai-Cheng, Cai, Shu-Jun, Liu, Bo, Lin, Zhao-Jun

Журнал:

Chinese Physics B

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 339 KB

english, 2013

2

Comparison of electrical characteristic between AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructure Schottky diodes

Lü, Yuan-Jie, Feng, Zhi-Hong, Lin, Zhao-Jun, Gu, Guo-Dong, Dun, Shao-Bo, Yin, Jia-Yun, Han, Ting-Ting, Cai, Shu-Jun

Журнал:

Chinese Physics B

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 270 KB

english, 2014

3

Effect of high-temperature buffer thickness on quality of AlN epilayer grown on sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition

Liu, Bo, Zhang, Sen, Yin, Jia-Yun, Zhang, Xiong-Wen, Dun, Shao-Bo, Feng, Zhi-Hong, Cai, Shu-Jun

Журнал:

Chinese Physics B

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.28 MB

english, 2013

4

Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructure Schottky diodes

Lü, Yuan-Jie, Feng, Zhi-Hong, Gu, Guo-Dong, Dun, Shao-Bo, Yin, Jia-Yun, Wang, Yuan-Gang, Xu, Peng, Han, Ting-Ting, Song, Xu-Bo, Cai, Shu-Jun, Luan, Chong-Biao, Lin, Zhao-Jun

Журнал:

Chinese Physics B

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 282 KB

english, 2014

5

Influence of drain bias on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors

Lü, Yuan-Jie, Feng, Zhi-Hong, Cai, Shu-Jun, Dun, Shao-Bo, Liu, Bo, Yin, Jia-Yun, Zhang, Xiong-Wen, Fang, Yu-Long, Lin, Zhao-Jun, Meng, Ling-Guo, Luan, Chong-Biao

Журнал:

Chinese Physics B

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 858 KB

english, 2013

6

Effect of surface morphology on the electron mobility of epitaxial graphene grown on 0° and 8° Si-terminated 4H-SiC substrates

Li, Jia, Wang, Li, Feng, Zhi-Hong, Yu, Cui, Liu, Qing-Bin, Dun, Shao-Bo, Cai, Shu-Jun

Журнал:

Chinese Physics B

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 4.88 MB

english, 2012

7

Wafer-Scale Gigahertz Graphene Field Effect Transistors on SiC Substrates

Pan, Hong-Liang, Jin, Zhi, Ma, Peng, Guo, Jian-Nan, Liu, Xin-Yu, Ye, Tian-Chun, Li, Jia, Dun, Shao-Bo, Feng, Zhi-Hong

Журнал:

Chinese Physics Letters

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 456 KB

english, 2011

8

Ti/Al Based Ohmic Contact to As-Grown N-Polar GaN

Feng, Zhi-Hong, Wang, Xian-Bin, Wang, Li, Lv, Yuan-Jie, Fang, Yu-Long, Dun, Shao-Bo, Zhao, Zheng-Ping

Журнал:

Chinese Physics Letters

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 647 KB

english, 2015

9

High-Frequency AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Regrown Ohmic Contacts by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition

Guo, Hong-Yu, Lv, Yuan-Jie, Gu, Guo-Dong, Dun, Shao-Bo, Fang, Yu-Long, Zhang, Zhi-Rong, Tan, Xin, Song, Xu-Bo, Zhou, Xing-Ye, Feng, Zhi-Hong

Журнал:

Chinese Physics Letters

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 917 KB

english, 2015

10

Modified model of gate leakage currents in AlGaN/GaN HEMTs

Wang, Yuan-Gang, Feng, Zhi-Hong, Lv, Yuan-Jie, Tan, Xin, Dun, Shao-Bo, Fang, Yu-Long, Cai, Shu-Jun

Журнал:

Chinese Physics B

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 372 KB

english, 2016